RD WR CS


RAM


D0 D1

...

Dm


а)

A0 ... An

t

CS

t

D0 ... Dm

t

RD

t

WR

t

T1 t2

б)

A0 ... An

t

CS

t

D0 ... Dm

t

WR

t

RD t

TWR

в)

Рис. 1.36. Багаторозрядне ОЗП: а) умовна позначка; б), в) тимчасові діаграми читання й запису

PROM (Programmable Read Only Memory) – однократно програмувальні ПЗП. Запис інформації в них здійснюється за допомогою спеціального пристрою, який називається програматором.

EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) – багаторазово перепрограмувальні ПЗП. Запис інформації здійснюється за допомогою програматора, стирання – шляхом ультрафіолетового опромінення мікросхеми через спеціальне вікно в корпусі.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) – електрично програмувальні та такі ПЗП, що стираються. Запис і стирання інформації здійснюється за допомогою програматора.


Flash Memory – електрично програмувальні та такі ПЗП, що RD WR CS стираються. Інформація може записуватися й стиратися за допомогою електричних сигналів без застосування спеціальних програматорів. Використовується найчастіше для енергонезалежного зберігання даних.

У сучасних мікроконтролерах для зберігання програм широко використовуються ПЗП типу EEPROM із багаторозрядною організацією доступу до даних. У якості елементарної комірки пам'яті використовується тригер, що виконано на базі польового транзистора з утримуючою ємністю. Функціональна схема такої комірки зображена на рис. 1.37. При вирядженій


ємності


C1 транзистор


VT1


замкнено і на його виході втримується високий


рівень сигналу (логічна 1). Заряд ємності проводиться при програмуванні ПЗП й у тих бітах, які повинні зберігати стан нуля. Для керування зарядом і розрядом ємності C1 використовуються електронні ключі ЕК1 і ЕК RD WR CS3.

Рис. 1.37. Елементарна комірка ОЗП

При стиранні ПЗП керуючий сигнал подається на ключ ЕК1 і ємність


розряджається через діод


VD1. Після стирання всі комірки пам'яті


встановлюються в одиничний стан. Керування записом інформації виконується


за допомогою ключа ЕК3. Під час його відмикання на ємність


C1 надходить


сигнал з лінії даних ( Di). Його високий рівень виробляє заряд ємності.


Зчитування інформації із


VT1


проводиться через ключ ЕК2, для чого повинен


бути сформований керуючий сигнал на лінії RD . Оскільки електронні ключі забезпечують лінії із трьома станами, то вхід і вихід комірки пам'яті об'єднано.

Спосіб організації ПЗП є аналогічним організації багаторозрядного ОЗП. При звичайній роботі із ПЗП проводиться тільки зчитування RD WR CS інформації, тому на схемах умовних позначок лінії запису й стирання часто не зображуються. На рис. 1.38 наведено умовну позначку й тимчасову діаграму роботи ПЗП.


У ПЗП є два керуючих входи RD й CS , а також адресні входи


A0...An .


Кількість адресних входів визначає ємність пам'яті. Так, при n рівному 14

ємність ПЗП становить 32К. З тимчасових діаграм можна побачити


послідовність формування вхідних сигналів. Спочатку встановлюється адреса, потім формується сигнал CS і далі сигнал RD . Читання інформації повинно відбутися в проміжку між t1...t2 .




А0 А1

...

Аn

RD CS


RОM


D0 D1

...

Dm


а)

A0 ... An

t

CS

t


documentaulberx.html
documentaulbmcf.html
documentaulbtmn.html
documentaulcawv.html
documentaulcihd.html
Документ RD WR CS